2024年9月内存行情网站在哪里看（网上哪里有内存卡的每日行情报价有没有哪个网站是专门提供每日内存行情的）

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　　⑸转:内存发展史Wikipedia，自由的百科全书在了解内存的发展之前，我们应该先解释一下几个常用词汇，这将有助于我们加强对内存的理解。RAM就是RandomAessMemory（随机存贮器的缩写。它又分成两种StaticRAM（静态随机存贮器和DynamicRAM（动态随机存贮器。SRAM曾经是一种主要的内存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存数据不丢失。它以双稳态电路形式存储数据，结构复杂，内部需要使用更多的晶体管构成寄存器以保存数据，所以它采用的硅片面积相当大，制造成本也相当高，所以现在只能把SRAM用在比主内存小的多的高速缓存上。随着Intel将L高速缓存整合入CPU（从Medocino开始后，SRAM失去了最大应用需求来源，还好在移动电话从模拟转向数字的发展趋势中，终于为具有省电优势的SRAM寻得了另一个需求成长的契机，再加上网络服务器、路由器等的需求激励，才使得SRAM市场勉强得以继续成长。DRAM，顾名思义即动态RAM。DRAM的结构比起SRAM来说要简单的多，基本结构是一只MOS管和一个电容构成。具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等优点，适合制造大容量存储器，所以现在我们用的内存大多是由DRAM构成的。所以下面主要介绍DRAM内存。在详细说明DRAM存储器前首先要说一下同步的概念，根据内存的访问方式可分为两种：同步内存和异步内存。区分的标准是看它们能不能和系统时钟同步。内存控制电路（在主板的芯片组中，一般在北桥芯片组中发出行地址选择信号（RAS和列地址选择信号（CAS来指定哪一块存储体将被访问。在SDRAM之前的EDO内存就采用这种方式。读取数据所用的时间用纳秒表示。当系统的速度逐渐增加，特别是当MHz频率成为总线标准时，EDO内存的速度就显得很慢了，CPU总要等待内存的数据，严重影响了性能，内存成了一个很大的瓶颈。因此出现了同步系统时钟频率的SDRAM。DRAM的分类FPDRAM：又叫快页内存，在时代很流行。因为DRAM需要恒电流以保存信息，一旦断电，信息即丢失。它的刷新频率每秒钟可达几百次，但由于FPDRAM使用同一电路来存取数据，所以DRAM的存取时间有一定的时间间隔，这导致了它的存取速度并不是很快。另外，在DRAM中，由于存储地址空间是按页排列的，所以当访问某一页面时，切换到另一页面会占用CPU额外的时钟周期。其接口多为线的SIMM类型。EDODRAM：EDORAM――ExtendedDateOutRAM——外扩充数据模式存储器，EDO-RAM同FPDRAM相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普通DRAM快~%。工作电压为一般为V，其接口方式多为线的SIMM类型，但也有线的DIMM类型。EDODRAM这种内存流行在以及早期的奔腾电脑上。当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写，顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（burst模式，它和原理是，SDRAM在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而适应高速系统的需要的呢？我们知道，原先我们使用的动态存储器技术都是建立在异步控制基础上的。系统在使用这些异步动态存储器时需插入一些等待状态来适应异步动态存储器的本身需要，这时，指令的执行时间往往是由内存的速度、而非系统本身能够达到的最高速率来决定。例如，当将连续数据存入CACHE时，一个速度为ns的快页内存需要ns的页循环时间；当系统速度运行在MHz时(一个时钟周期ns)，每执行一次数据存取，即需要等待个时钟周期！而使用SDRAM，由于其同步特性，则可避免这一时。SDRAM结构的另一大特点是其支持DRAM的两列地址同时打开。两个打开的存储体间的内存存取可以交叉进行，一般的如预置或激活列可以隐藏在存储体存取过程中，即允许在一个存储体读或写的同时，令一存储体进行预置。按此进行，MHz的无缝数据速率可在整个器件读或写中实现。因为SDRAM的速度约束着系统的时钟速度，它的速度是由MHz或ns来计算的。SDRAM的速度至少不能慢于系统的时钟速度，SDRAM的访问通常发生在四个连续的突发周期，第一个突发周期需要个系统时钟周期，第二到第四个突发周期只需要个系统时钟周期。用数字表示如下：---。顺便提一下BEDO（BurstEDO也就是突发EDO内存。实际上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因为Intel的芯片组支持SDRAM，由于INTEL的市场领导地位帮助SDRAM成为市场的标准。DRAMR的两种接口类型DRAM主要有两种接口类型，既早期的SIMM和现在的标准DIMM。SIMM是Single-InLineMemoryModule的简写，即单边接触内存模组，这是及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在更早的PC机中（以前，多采用针的SIMM接口，而在Pentium中，应用更多的则是针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。DIMM是DualIn-LineMemoryModule的简写，即双边接触内存模组，也就是说这种类型接口内存的插板的两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为针，但由于是双边的，所以一共有×=线接触，故而人们经常把这种内存称为线内存，而把线的SIMM类型内存模组直接称为线内存。DRAM内存通常为线，EDO-RAM内存既有线的，也有线的，而SDRAM内存通常为线的。新的内存标准在新的世纪到来之时，也带来了计算机硬件的重大改变。计算机的制造工艺发展到已经可以把微处理器（CPU的时钟频率提高的一千兆的边缘。相应的内存也必须跟得上处理器的速度才行。现在有两个新的标准，DDRSDRAM内存和Rambus内存。它们之间的竞争将会成为PC内存市场竞争的核心。DDRSDRAM代表着一条内存逐渐演化的道路。Rambus则代表着计算机设计上的重大变革。从更远一点的角度看。DDRSDRAM是一个开放的标准。然而Rambus则是一种专利。它们之间的胜利者将会对计算机制造业产生重大而深远的影响。RDRAM在工作频率上有大幅度的提升，但这一结构的改变，涉及到包括芯片组、DRAM制造、封装、测试甚至PCB及模组等的全面改变，可谓牵一发而动全身。未来高速DRAM结构的发展究竟如何？Intel重新整装再发的芯片组，是否真能如愿以偿地让RDRAM登上主流宝座？PCSDRAM：PCSDRAM基本上只是PCSDRAM的延伸，不论在DRAM制造、封装、模组、连接器方面，都延续旧有规范，它们的生产设备相同，因此生产成本也几乎与PCSDRAM相同。严格来说，两者的差别仅在于相同制程技术下，所多的一道「筛选」程序，将速度可达MHz的颗粒挑选出来而已。若配合可支持MHz外频的芯片组，并提高CPU的前端总线频率（FrontSideBus到MHz，便能将DRAM带宽提高到GB/sec以上，从而提高整体系统性能。DDR-SDRAM：DDRSDRAM（DoubleDataRateDRAM或称之为SDRAMⅡ，由于DDR在时钟的上升及下降的边缘都可以传输资料，从而使得实际带宽增加两倍，大幅提升了其性能／成本比。就实际功能比较来看，由PC所衍生出的第二代PCDDRSRAM（MHz时钟×倍数据传输＝MHz带宽，不仅在InQuest最新测试报告中显示其性能平均高出Rambus.％，在Micron的测试中，其性能亦优于其他的高频宽解决方案，充份显示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。DirectRambus-DRAM：RambusDRAM设计与以往DRAM很大的不同之处在于，它的微控制器与一般内存控制器不同，使得芯片组必须重新设计以符合要求，此外，数据通道接口也与一般内存不同，Rambus以条各bit宽（含E则为bit的数据通道（channel传输数据，虽然比SDRAM的bit窄，但其时钟频率却可高达MHz，且在时钟的上升和下降沿都能传输数据，因而能达到.GB／sec的尖峰带宽。各种DRAM规格之综合比较数据带宽：从数据带宽来看，传统PC在时钟频率为MHz的情况下，尖峰数据传输率可达到MB／sec。若以先进.微米线程制造的DRAM，大都可以「筛选」出时钟频率达到MHz的PC颗粒，可将尖峰数据传输率再次提高至.GB／sec，只要CPU及芯片组能配合，就可提高整体系统性能。此外，就DDR而言，由于其在时钟上升和下降沿都能传输数据，所以在相同MHz的时钟频率下，其尖峰数据传输将可大幅提高两倍，达到.GB／sec的水准，其性能甚至比现阶段Rambus所能达到的.GB／sec更高。传输模式：传统SDRAM采用并列数据传输方式，Rambus则采取了比较特别的串行传输方式。在串行的传输方式之下，资料信号都是一进一出，可以把数据带宽降为bit，而且可大幅提高工作时钟频率（MHz，但这也形成了模组在数据传输设计上的限制。也就是说，在串接的模式下，如果有其中一个模组损坏、或是形成断路，便会使整个系统无法正常开机。因此，对采用Rambus内存模组的主机板而言，便必须将三组内存扩充插槽完全插满，如果Rambus模组不足的话，只有安装不含RDRAM颗粒的中继模组（ContinuityRIMMModule；C-RIMM，纯粹用来提供信号的串接工作，让数据的传输畅通。模组及PCB的设计：由于Rambus的工作频率高达MHz，所以不管是电路设计、线路布局、颗粒封装及记忆模组的设计等，都和以往SDRAM大为不同。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组称之为RIMM（RambusInMemoryModule，目前的设计可采取、、、与颗等不同数目的RDRAM颗粒来组成，虽然引脚数提高到了只，但整个模组的长度却与原有DIMM相当。另外，在设计上，Rambus的每一个传输信道所能承载的芯片颗粒数目有限（最多颗，从而造成RDRAM内存模组容量将有所限制。也就是说，如果已经安装了一只含颗RDARM颗粒的RIMM模组时，若想要再扩充内存，最多只能再安装具有颗RDARM的模组。另外，由于RDARM在高频下工作将产生高温，所以RIMM模组在设计时必须加上一层散热片，也增加了RIMM模组的成本。颗粒的封装：DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。随着DDR、RDRAM的陆续推出，将内存频率提高到一个更高的水平上，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的RDRAM来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。尽管RDRAM在时钟频率上有了突破性的进展，有效地提高了整个系统性能，但毕竟在实际使用上，其规格与现阶段主流的SDRAM有很大的差异，不仅不兼容于现有系统芯片组而成了Intel一家独揽的局面。甚至在DRAM模组的设计上，不仅使用了最新一代的BGA封装方式，甚至在电路板的设计上，都采取用了层板的严格标准，更不用说在测试设备上的庞大投资。使得大多数的DRAM及模组厂商不敢贸然跟进。再说，由于Rambus是个专利标准，想生产RDRAM的厂商必须先取得Rambus公司的认证，并支付高额的专利费用。不仅加重了各DRAM厂商的成本负担，而且它们担心在制定未来新一代的内存标准时会失去原来掌握的规格控制能力。由于RIMM模组的颗粒最多只能为颗，限制了Rambus应用，只能用在入门级服务器和高级PC上。或许就PC而言，在性能上无法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技术后，其数据带宽可达到.GB／sec，不仅领先Rambus所能达到的.GB／sec标准，而且由于其开放的标准及在兼容性上远比Rambus高的原故，估计将会对Rambus造成非常大的杀伤力。更何况台湾在威盛与AMD等联盟的强力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼风唤雨，也成了未知数。至少，在低价PC及网络PC方面，Rambus的市场将会很小。结论：尽管Intel采取了种种不同的策略布局及对策，要想挽回Rambus的气势，但毕竟像Rambus这种具有突破性规格的产品，在先天上便存在有着诸多较难克服的问题。或许Intel可以藉由更改主机板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM与RDRAM共同存在的过渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser等方式来解决技术面上的问题。但一旦涉及规模量产成本的控制问题时，便不是Intel所能一家独揽的，更何况在网络趋势下的计算机应用将愈来愈趋于低价化，市场需求面是否对Rambus有兴趣，则仍有待考验。在供给方面，从NEC独创的VCMSDRAM规格（VirtualChannelMemory、以及Samsung等DRAM大厂对Rambus支持态度已趋保守的情况来看，再加上相关封装及测试等设备上的投资不足，估计年底之前，Rambus内存模组仍将缺乏与PC甚至DDR的价格竞争力。就长远的眼光来看，Rambus架构或许可以成为主流，但应不再会是主导市场的绝对主流，而SDRAM架构（PC、DDR在低成本的优势，以及广泛的应用领域，应该会有非常不错的表现。相信未来的DRAM市场，将会是多种结构并存的局面。具最新消息，可望成为下一世代内存主力的RambusDRAM因芯片组延迟推出，而气势稍挫的情况之下，由全球多家半导体与电脑大厂针对DDRSDRAM的标准化，而共同组成的AMII（AdvancedMemoryInternationalInc、阵营，则决定积极促进比PC、PC速度提高倍以上的PC与PCDDRSDRAM规格的标准化，此举使得RambusDRAM与DDRSDRAM的内存主导权之争，迈入新的局面。全球第二大微处理器制造商AMD，决定其Athlon处理器将采用PC规格的DDRSDRAM，而且决定在今年年中之前，开发支持DDRSDRAM的芯片组，这使DDRSDRAM阵营深受鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资的重心，由RambusDRAM转向DDRSDRAM。综上所述，今年DDRSDRAM的发展势头要超过RAMBUS。而且DDRSDRAM的生产成本只有SDRAM的.倍，在生产成本上更具优势。未来除了DDR和RAMBUS外还有其他几种有希望的内存产品，下面介绍其中的几种：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步链接内存)：SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它将当前的体（Bank结构扩展到体，并增加了新接口和控制逻辑电路。SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。最新行情去太平洋看看

　　⑹问个关于电脑装机的问题～关于内存的～～

　　⑺,虚拟内存设置方法:我的电脑-属性-高级-性能-设置-高级-虚拟内存-更改-自定义大小---最小值为电脑内存的.倍，最大值为电脑内存的倍。加大内存的话肯定会快很多的.,你电脑的保修期过期了吗??没有的话就最好了,直接带上保修卡去商家那里弄;如果保修期过了,最好把你电脑的内存拆下拿去卖电脑内存之类商家，买一条同型号同大小的，一般的商家都可以帮你当场测试兼不兼容，建议去信用好的商家购买，有保证些，买之前也可以上网查查价格，但是切记，莫贪便宜！的价格应该在元左右吧。,可以在保留现在的基础上再加一个内存条,也可以买一条大容量的,在保留现在的基础上再加一个内存条的话,要考虑兼容问题,最好买相同容量,相同型号的,这样就不大会出现问题了.,见.,兼容的话肯定没问题了,内存对储存的文件没什么影响，储存文件的是硬盘。这是中关村的网址,可以查一下内存行情~

　　⑻最好同原来牌子的一样,以免出现不兼容问题,不过如果插上去运行长时间不出问题也是可以用的,内存是不需要驱动的,插上去就能用了内存条看起来十分简单，其实它也是一种极为精密的半导体产品，对工艺要求当然不能就是简单和随意的了。对一些数据的精准要求是为了保证内存能有很好的稳定性、兼容性与适用性。不同厂家生产的内存在做工与制造工艺上的要求也是为了是只能达到一定的标准的必要条件，这就是我们常说的“规范”。虽然一些小厂生产的内存也使用的是高质量芯片，但它们所用的印刷电路板（PCB的质量却很差，这就是普通SDRAM内存条与高档SDRAM内存条之间的最大差异，他们之间的性能当然是不可同日而语的。在印刷电路板上节约成本，往往会带来信号在传输中不稳定、易受干扰、易丢失等各种问题。为了降低材料成本，一些厂商制造SDRAM内存条使用的是层PCB板而不是推荐的层板。层板的做工是很容易受到物理与机械损害的影响的，它对电磁干扰的屏蔽能力也不如层板或层板好。所以PC规范才明确定义出了必须使用层以上的PCB板进行制造。Intel对PC-规范的要求是：当CASLatency设为时，主板外部时钟频率为MHz，要求PC-SDRAM能稳定地与主板同步工作，此前威盛制定的PC内存规范则将它定义为CASLatency设为时，主板外部时钟频率为MHz。其他的类似于PC、PC的内存规范就是内存生产厂家为了满足市场的需求，而内部制定的规范。内存参数：评价一款内存的好坏，当然要对内存内部的一些参数有些了解才行了，这些参数通常可以在BIOS里进行设置，好坏往往就体现在这些数字中。CL：CASLatency，为CAS的延迟时间，是内存性能的一项最重要的指标。纵向地址在实际工作上存在一定的延迟，CL就表示纵向地址在实际工作时的反应时间，这是衡量不同规范的内存的重要标志之一。其中，表示个时钟周期，代表则个时钟周期；时间周期越短，内存进入工作状态的速度越快。降低CAS的时钟周期，可以有助于加快内存在前端总线频率下的速度。不过，通常内存的标准频率都是说CL＝的时候，如果内存工作在CL＝的时候，对内存的稳定性将是一个严峻的考验。tCK：ClockCycleTime，内存时钟周期。代表着内存标称运行的最大工作频率。通常与内存的运行频率成反比，也就是说，内存颗粒为.ns，那么我们就可以判断出.ns的内存标准工作频率在/.×＝MHz。这样我们就可以大概的估算出未知内存的标称最大工作频率。tAC：AessTimefromCLK，是最大CAS延迟时的存取时间。人们十分容易将tAC和tCK两者混淆起来。与时钟周期不同的是，tAC仅仅代表着内存在访问数据时所需的时间，目前大部分的SDRAM的存取时间都在ns～ns之间，但这并不代表这它的工作速度为ns。如一些PC的内存上标识为－J，其实是指它的存取时间为ns，并非是它的速度达到了ns，如果速度达到ns的话，就算是作为PC内存也是非常难得的。SPD：SerialPresenceDetect。是一个个针的SOIC封装（mm×mm字节的EEPROM（电可擦写可编程只读存储器芯片，里面主要保存着内存生产厂家在内存出厂之时所设定的有关内存的一些相关资料，通常有容量、芯片模块的生产厂商、标称运行频率、是否具备E校验等内存。通过主板芯片组可以识别SPD内的信息，从而判断内存的相关性能来完成BIOS里的设定。如果辨别内存：通常黑心的商家会将低频率的内存条通过打磨或者其他手段改装内存，把它当成高频率的内存出售给用户，我们可以通过软件来揭穿他们的伎俩。购买了内存以后，用户可以自己回去用SISoftSandraSE这个软件来读取内存SPD里的信息，在MainboardInformation中看看所购买的内存属于PC还是PC，有些内存注明CL＝和CL＝时厂商所设定的频率，以及类似A-A-A-A和B-B-B这样的参数。其中，A-A-A-A是表示内存进行过一个完整的访问过程所需的周期（一次访问四个地址，普通的内存多为---或---，由于CAS有延迟时间的原因，所以访问第一个地址时需要多些时间。B-B-B中的第一个B表示内存的CL，其他数字的概念就不在讨论了。通常内存的这三个指标为--或者--，加起来就等于访问一个地址的延时，也就是上面所说的和。选购指南：、多观察内存PCB板上的内存模块、线路布线和做工。通常大厂生产的内存通常做工都极为一流，线路走线也会十分清晰，如果PCB上部有许多的蛇行线，有利与提高内存的电气性能，不容易受到外来电磁的干扰，此外，做工细致的内存条可以避免遇上手工打磨的内存。还得注意内存模块上印刷的文字一定要清晰，如果内存模块上的文字模糊不清或者有许多白点，很容易是经过打磨的内存条，购买时一定要十分留心。市场上的KingmaxPC就是通过这样来改装成PC内存来出售的。、尽量选购大厂的内存条。现在名厂的内存条的价格基本上比杂牌内存要贵％，但笔者认为如果你不是很懂内存的行情，如果你喜欢进行超频，那么选购大厂的内存条会给你一个质量的保证，在三包服务上也做的比较令人满意。不过，如果你熟悉内存行情，而且经常留意网站媒体的评测报告的话，可以大胆选购一些性价比高的便宜内存，HYPC－TH和NCPPC内存就是其中的佼佼者。、在购买内存时，最好有一个懂行的人一起前往，这样既可以多一个人来帮忙鉴别，还可以在相熟的商家那里交易，万一内存出了问题，售后服务上也比较好说一点。、由于内存价格都是非常透明的，在各大媒体网站上都有相应内存品牌的报价，相差只是～元之间，购买时不要为了这点钱而和商家斤斤计较，碰到特别便宜的内存条，要特别小心是否时返修货，因为这些返修的的产品通常都可以正常使用一段时间，过了保修期或者超频的时候就会出现问题，频频死机也是十分正常的事情了。

　　⑼关于联想电脑H系列添加内存条的相关问题，高手解答，不胜感激

　　⑽基本不会，现在很少有内存条跟主板不兼容的了。.牌子么，用的最多的就是金士顿的了，金士顿的兼容性和性价比都不错，推荐。G现在大约大洋左右，不过价格我不是很清楚，记得前段时间还是+大洋，现在看掉了这么多我就有点糊涂了。。。.想并插跟是否原装内存条没有关系，联想台式机的内存条又不是联想自己做的，也是找人代工的。想并插就要买型号一样的，原来是DDR也要买DDR，只要型号相同就可以了。型号不同并插的话会出现各种问题。。。.拔插内存请一定要先切断电源，释放静电，稍等几分钟，开机前确认已经插好内存

　　⑾金士顿Kingston(十大内存品牌,年美国,全球内存领导厂商)威刚ADATA(十大内存品牌,年台湾,全球领先地位)宇瞻Apacer(十大内存品牌,年台湾,著名数码记忆品牌)现代Hynix(十大内存品牌,韩国海力士,世界领先内存生产商海盗船Corsair(十大内存品牌,于年美国,全球领先内存商)三星Samsung(中国驰名商标,十大内存品牌,年韩国)金邦GEIL(十大内存品牌,于年香港,总部台北)黑金刚Kingbox(十大内存品牌,台湾品牌,全球专业领先品牌)胜创Kingmax(十大内存品牌,年台湾,专业内存制造商)金泰克KINGTIGER(十大内存品牌,于年香港,钜鑫科技)

　　⑿这个要看内存的型号了，不知道你电脑主板支持什么样的内存。现在主流内存有DDR二代和三代，G容量的内存二代在多点，三代将近左右，年以后的电脑基本上都是这两种，年以前的基本是DDR一代，现在价格稍贵，G容量在左右。具体价格你上中关村或者太平洋查查，基本每天都不一样。一般日常应用不玩大型游戏G内存足矣，当然若是DDR二代或者三代的话还是单根G的更有性价比。目前普通的机器超过G的内存就没有什么意义了，看你说内存小估计你是M或M的ddr一代内存，若是上上网看看电影的话再买个M的插上就行了。

　　⒀在哪里可以查询新三板的股票和行情

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